4H-SiC TBS结构双极晶体管特性模拟

摘要

本文中,利用二维器件仿真软件Medici建立4H-SiC双极晶体管模型,并在此基础上,对4H-SiC TBS结构双极晶体管进行了模拟研究,结果显示共射极最大电流增益为47,击穿电压大于1000V.与普通结构的双极晶体管特性相比较,TBD结构双极晶体管显示出了该结构的优越性.