新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性

摘要

利用电子运动速度过冲现象 ,设计出了一种新结构复合收集区 In Ga P/Ga As异质结双极晶体管 .这种结构不仅提高了器件的截止频率 ,而且降低了影响器件直流性能的补偿电压 .所制备器件的截止频率达到 77GHz,直流电流增益高达 10 0 ,补偿电压低至 70 m V .同时 ,把所制备器件的微波和直流特性与已发表的文献进行了比较 ,充分显示了这种结构的优越性 .