退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
张维连;
河北工学院;
中子嬗变; 直拉硅; 电阻; 掺杂;
机译:Ga掺杂的直拉硅晶体的受主浓度,电导率和电阻率随温度的变化
机译:镓掺杂的直拉硅晶体的镓浓度与电阻率的关系:转换曲线的研究
机译:直拉硅中的氧沉淀:退火温度从300升至750℃的影响
机译:在高电阻率硅探测器中温度激发的中子引起的损伤的反向退火
机译:用于纳米级CMOS集成电路的硅,硅锗和硅碳源极/漏极结的低电阻率接触方法。
机译:不同退火温度下硅上热原子层沉积Al2O3膜的钝化机理
机译:N衬底上形成的多孔硅的电阻率与温度的关系
机译:在高电阻率硅探测器中,温度激发了中子诱发损伤的反向退火
机译:用内部吸气剂制造由硅制成的半导体磁盘的方法,包括通过在目标温度下快速热退火来加热磁盘,将磁盘在目标温度下保持五秒钟并冷却磁盘。
机译:高电阻率硅晶片及其使用磁场的直拉法制造方法
机译:直拉法获得单晶硅电阻率变化的方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。