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中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺

摘要

一种中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺,其工序是:将自然直拉硅单晶进行中子嬗变掺杂,清洗处理后,送入经过清洗处理的高温扩散炉内进行热退火。该工艺可与器件制造中的热工序结合,因此可以大大节省工时和能耗。经过此工艺处理的硅单晶可得到真实的少子寿命和准确的目标电阻率。用此硅片制备电子元器件,成品率和电参数均可大大提高。因此,可广泛用于中子嬗变掺杂直拉硅的热处理。

著录项

  • 公开/公告号CN1010038B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1990-10-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河北工学院;

    申请/专利号CN88101669.1

  • 申请日1988-03-26

  • 分类号C30B33/02;C30B29/06;

  • 代理机构天津市机械工业管理局专利事务所;

  • 代理人李国茹

  • 地址 天津市红桥区丁字沽一号路

  • 入库时间 2022-08-23 08:54:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1998-05-20

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 1991-10-16

    授权

    授权

  • 1990-10-17

    审定

    审定

  • 1989-10-04

    公开

    公开

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