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SEED CRYSTAL, METHOD FOR PREPARING MONOCRYSTALLINE SILICON BY MEANS OF CZOCHRALSKI METHOD, AND MONOCRYSTALLINE SILICON

机译：种子晶体，用直拉法制备单晶硅的方法和单晶硅

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摘要

Disclosed are a seed crystal, a method for preparing monocrystalline silicon by means of Czochralski method, and monocrystalline silicon, wherein the seed crystal is provided with holes, which can store a dopant.

机译：本发明公开了一种籽晶，通过切克劳斯基法制备单晶硅的方法以及单晶硅，其中，所述籽晶具有可存储掺杂剂的孔。

著录项

公开/公告号WO2020135255A1

专利类型
公开/公告日2020-07-02

原文格式PDF
申请/专利权人 XUZHOU XINJING SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO. LTD.;
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申请/专利号WO2019CN126987
发明设计人 ZHENG JIAZHEN;
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申请日2019-12-20
分类号C30B15/36;C30B29/06;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 11:10:27

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