首页> 中文期刊> 《半导体技术》 >基于温度补偿的1V CMOS电流基准源

基于温度补偿的1V CMOS电流基准源

         

摘要

利用零温度系数偏置点技术和温度补偿技术设计了一个超低压、低功耗的电流基准源。使用亚阈值工作的超低压运放构成带隙基准,对MOS管进行温度补偿,使MOS管工作在零温度系数偏置点。在1V工作电压,TSMC0.25μmCMOS工艺下,用Cadence Spectre仿真,在-20~120℃的温度内,输出电流为19.06μA,温度系数仅为18.7×10^-6,功耗为53.5μW。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号