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朱冬勇; 杨银堂; 朱樟明; 朱文举; 徐俊平;
西安电子科技大学微电子研究所;
零温度系数; 温度补偿; 超低压; 互补型金属氧化物晶体管; 电流基准;
机译:具有温度和过程补偿的1V CMOS电流基准
机译:使用分段曲率温度补偿技术从无电阻CMOS带隙基准电路产生低于1V的基准电压
机译:2晶体管低于1V的低功耗温度补偿CMOS电压基准
机译:温度补偿的CMOS和MEMS-CMOS振荡器,用于时钟发生器和频率基准。
机译:具有轨至轨输入的1-nS 1-V 1V Sub-1-µW线性CMOS OTA用于Hz频段传感器接口
机译:低于1v的纳瓦级温度补偿的亚阈值CMOS电压基准,线路灵敏度为0.065%/ V
机译:采用45nm绝缘硅互补金属氧化物半导体(sOI CmOs)的94GHz温度补偿低噪声放大器。
机译:1V〜10V接口的温度补偿电流发生器
机译:提供温度,电源电压和组件制造质量补偿的CMOS输出放大器电路使用减法电路提供补偿电流,该补偿电流随着测量电流的增加而减小
机译:利用带隙电压基准和共源共栅电流镜电路的任何值,与温度无关的电压基准
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