CMOS integrated circuits; MOSFET; Radiofrequency identification; Temperature measurement; Threshold voltage; Voltage measurement; CMOS integrated circuit design; Low power; low voltage; temperature compensated voltage reference;
机译:使用分段曲率温度补偿技术从无电阻CMOS带隙基准电路产生低于1V的基准电压
机译:便携式2晶体管皮瓦温度补偿电压基准,工作电压为0.5 V
机译:低于1 V的纳瓦级温度补偿的亚阈值CMOS电压基准,线路灵敏度为0.065%/ V
机译:2晶体管子1V低功率温度补偿CMOS电压参考
机译:具有片上电路的低功耗cmos弛张振荡器设计,用于组合温度补偿的参考电压和电流生成。
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:SUB-1V NANOPOWER CMOS仅带隙电压参考