机译:使用分段曲率温度补偿技术从无电阻CMOS带隙基准电路产生低于1V的基准电压
Department of Electronic Engineering, City University of Hong Kong, Kowloon Tong, Hong Kong, China;
rnDepartment of Electronic Engineering, City University of Hong Kong, Kowloon Tong, Hong Kong, China;
Canaan Microelectronics Corp. Ltd., Hong Kong, China;
rnDepartment of Electronic Engineering, City University of Hong Kong, Kowloon Tong, Hong Kong, China;
机译:CMOS带隙基准电压源的无电阻BJT偏置和曲率补偿电路(3.4nW)
机译:采用分段指数补偿技术的1.3 ppm /℃BiCMOS带隙基准电压源
机译:采用分段指数补偿技术的1.3 ppm /°C BiCMOS带隙基准电压源
机译:基于分段补偿技术的高性能无电阻1V以下带隙基准电路
机译:基于阈值电压差架构的CMOS技术的低于1V的电源参考电压。
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:55 nm CMOS工艺中具有高阶温度曲率补偿的无电阻电压参考