首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源

1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源

             

摘要

阐述了电源电压为1V的非线性补偿CMOS电压带隙基准源,该基准源具有很高的温度稳定性.基准源电路中运用了rail-to-rail运算放大器(0PA).根据测试结果,室温下的输出电压为351.9mV,当温度在15-100℃变化时,输出电压在351.5-352.0mV之间变化,温度系数约为16.7ppm/℃.电路的功耗为0.16mW,芯片面积是0.18mm。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号