高阻真空区熔硅单晶的生长

摘要

介绍了高阻真空区熔硅单晶的研制工艺,研制出了导电类型为p型,电阻率(3～5)×103Ω.cm及(1～2)×104Ω.cm两种规格的真空区熔硅单晶,其中电阻率(3～5)×103Ω.cm规格单晶的研制除需要进行真空区熔提纯外,还要进行微量的p型区熔掺杂。单晶直径30～35 mm,晶向。经检测无位错及漩涡缺陷,单晶的少数载流子寿命达到1500μs以上。