机译:Czochralski技术生长磁性硅单晶过程中零高斯平面的位置对熔体界面氧浓度的影响
机译:零高斯平面和磁强度对尖磁CZ晶体中氧浓度的影响
机译:Czochralski硅晶体生长过程中隔热罩形状对熔体界面氧杂质分布影响的数值研究
机译:横向磁场应用切克劳斯基方法分析晶体生长过程中硅熔体-晶体界面处杂质的局部偏析
机译:用Czochralski技术在磁硅单晶生长期间零高斯平面位置对晶体熔体界面氧浓度的影响
机译:固体颗粒为单晶硅的连续Czochralski生长提供了营养。
机译:不同Al浓度的Ca3Nb(Ga1-xAlx)3Si2O14压电单晶的晶体生长
机译:Czochralski技术在晶体生长过程中硅熔体中的动态氧平衡