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索开南; 闫萍; 庞炳远; 张殿朝;
中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;
探测器; 区熔; 真空; 分凝效应; 电阻率;
机译:重新探讨熔体中无缺陷硅单晶生长的v / G准则:对大直径晶体的影响
机译:重新回答了“关于从熔体生长的硅单晶中本征点缺陷掺入的评论” [J.应用物理111,116102(2012)
机译:评论“重新研究从熔体中生长的硅单晶中的本征点缺陷” [J.应用物理110,063519(2011)]
机译:用Czochralski技术在磁硅单晶生长期间零高斯平面位置对晶体熔体界面氧浓度的影响
机译:使用熔体生长技术的辐射探测器材料的合成,纯化和块状晶体生长。
机译:贩运调节剂TENin1抑制内吞作用在前真空区室引起内膜蛋白积累并削弱拟南芥中的趋向性反应。
机译:评论“从熔体中生长的硅单晶中的内在点缺陷掺入”J。苹果。物理。 110,063519(2011)
机译:静磁场作用下纯镍过冷熔体中树枝生长速度的测量。
机译:计算硅熔体的表面的高度位置的方法,生长硅单晶的方法和硅单晶提拉装置
机译:生长单晶,特别是硅单晶的方法包括:从包含有由晶体材料制成的熔体的加热的坩埚中旋转拉出单晶,并冷却晶体。
机译:于高真空区域中工作的西瓜的方法和装置,特别是在某些具有施密特作用,薄金属任务的球形轴承中
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