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索开南; 闫萍; 张殿朝; 庞炳远; 刘燕; 董军恒;
中国电子学会;
广州市科协;
真空高阻; 区熔硅单晶; 少子寿命; 漩涡缺陷; 位错缺陷;
机译:评论“重新研究从熔体中生长的硅单晶中的本征点缺陷” [J.应用物理110,063519(2011)]
机译:电子束焊接哈氏合金C-276板熔区面积的优化以及在3.5 wt%NaCl水溶液中优化熔区的耐蚀性研究
机译:大型硅单晶浮区生长过程中电磁场对流体运动和电阻率分布影响的数值研究
机译:用Czochralski技术在磁硅单晶生长期间零高斯平面位置对晶体熔体界面氧浓度的影响
机译:格陵兰冰盖聚集区中的熔体通过熔体输送水
机译:使用活性熔纺带在真空条件下将硅颗粒增强铝基质复合材料加入Kovar合金
机译:Czochralski技术生长磁性硅单晶过程中零高斯平面的位置对熔体界面氧浓度的影响
机译:真空电弧重熔过程中熔体Inconel 718合金电极上低压电弧燃烧的单色成像研究。
机译:硅熔体对流图案估计方法,硅单晶氧浓度估计方法,硅单晶制造方法和硅单晶拉动装置
机译:硅熔体的对流模式估计方法,硅单晶的氧浓度估计方法,硅单晶制造方法和硅单晶提拉装置
机译:硅熔体对流模式的估计方法,硅单晶的氧浓度估计方法,硅单晶的制造方法以及硅单晶的产生装置
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