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Φ4″超高阻区熔硅单晶的研制

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本文分析了影响超高阻区熔硅单晶质量的各种因素,提出采用减压流氩法并有针对性地采用专用线圈和独特的防电离技术生长Φ4″超高阻硅单晶.

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来源
《第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会》|2003年|89-92|共4页
会议地点深圳
作者
高树良; 沈浩平; 刘为钢;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
超高阻区熔硅单晶质量; 减压流氩法; 防电离技术;

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