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康耀辉; 徐筱乐; 高建峰; 陈辰;
南京电子器件研究所;
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
南京210016;
渐变组分高电子迁移率晶体管; T形栅; 截止频率;
机译:低于100nm器件时代使用新型全硅化N-MOSFET的有效静电放电保护电路设计
机译:高/ spl kappa /电介质HfO / sub 2 /对100nm以下nMOSFET迁移率和器件性能的影响
机译:可能的光功能器件的实际应用前景聚合物加工发展精度100nm精细激光束整形技术
机译:硅氧烷的UV可固化树脂100nm螺距线栅极偏振器的研制
机译:低序金属氧化物硅硅量子点器件的研制与表征
机译:亚100nm几乎单分散的n-石蜡/ pMMA相变纳米珠
机译:确定在100nm以下垂直磁化器件中电场引起的各向异性变化
机译:使用X射线透视纳米技术的亚100nm电子器件和量子效应研究
机译:形成精细图案的方法和制造半导体器件的方法,使用相同的方法获得具有100NM以下临界尺寸的精细光致抗蚀剂图案
机译:微电子器件集电极的研制
机译:器件数据和数据选通驱动器控制电路的研制
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