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创新性声明及关于论文使用授权的说明
第一章绪论
1.1纳米技术的发展及其面临的问题
1.2 SOI的发展现状
1.3本文的内容安排
第二章SOI技术与SOI器件原理
2.1 SOI技术概述
2.2 SOI材料制备方法简介
2.3本章小结
第三章缩小到纳米尺寸的CMOS器件面临的挑战
3.1器件尺寸缩小对工艺技术的挑战
3.2多晶硅耗尽效应
3.3栅介质
3.4量子效应的影响
3.5提高载流子迁移率
3.6源漏串联电阻
3.7杂质随机分布的影响
3.8阈值电压减小的限制
3.9本章小结
第四章新型SOIMOSFET结构研究与进展
4.1多栅SOIMOSFET器件性能比较
4.2器件尺寸比较
4.3新型三栅SOIMOSFET结构
4.4用多晶硅提升源、漏区的UTB SOI器件
4.5本章小结
第五章 亚100nm全耗尽SOIMOSFET特性研究
5.1 MEDICI简介
5.2亚100nm SOI MOSFET器件模拟的理论基础
5.3亚100nm SOI MOSFET阈值电压的模拟
5.4亚阈区斜率、开启/关断电流等性能的仿真
5.5器件结构参数的优化
5.6本章小结
结束语
致谢
参考文献
在读期间的研究成果
