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穆甫臣; 李志国; 郭伟玲; 张万荣; 孙英华; 程尧海; 严永鑫;
北京工业大学电子工程系可靠性物理室;
MESFET; 欧姆接触; 可靠性; 砷化镓;
机译:使用Pd / Ge / Ti / Au欧姆接触改善了GaAs MESFET中接触电阻的均匀性
机译:GaAs MESFET的非合金Pd / Sn和Pd / Sn / Au欧姆接触:技术和性能
机译:具有GeMoW欧姆接触的GaAs MESFET上的Al和TiPtAu金属化的比较
机译:GaAs MESFET和GaAs / AlGaAs MODFET的低温欧姆接触的形成
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:优化p-GaAs纳米线的欧姆接触
机译:用于制造Gaas mEsFET的新型非合金热稳定pd / sn和pd / sn / au欧姆接触
机译:Gaas FET和mODFET的高可靠性耐火欧姆接触研究
机译:GaAs和GaAℓAs的欧姆接触
机译:通过控制N-GaAs多晶层的生长N-GaAs与导电衬底的欧姆接触
机译:GaAs MESFET器件和肖特基势垒接触件的制造方法
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