AuGeNi—n型GaAs欧姆接触界面微区结构与接触电阻率的关系

摘要

欧姆接触是砷化镓器件中的基本单元，它的电性能极大地影响器件的质量。在众多的欧姆接触系统中，ＡｕＧｅＮｉ系统应用最为广泛。利用扫描俄歇电子微探针对离子注入重掺杂的ｎ型ＧａＡｓ上利用快速热合金制备的ＡｕＧｅＮｉ欧姆接触进行了研究，比较了不同退火温度下欧姆接触的电性能和微区界面结构，对界面微区结构与接触电阻的关系进行了探讨，提出了产生低阻接触的理想微区结构，为工艺参数的选择提供了有益的依据。