机译:基于纳米载体/ GaAs异质结构的谐振隧穿二极管Augeni欧姆触点的热降解研究
机译:使用带有初始Ni层的AuGeNi欧姆接触可高度可复制地制造背栅GaAs / AIGaAs异质结构
机译:红外光谱椭偏法评估AlAs / GaAs纳米共振隧道异质结构对扩散破坏的抵抗力
机译:基于In_(0.53)Ga_(0.47)As / AlAs / InP的单孔谐振隧道二极管异质结构,室温下峰谷比为22:1
机译:基于纳米级αS/ GaAs异质结构的南谐隧道二极管欧姆触点的降解过程动力学研究
机译:高温电子用镍基欧姆接触碳化硅的热稳定性的电,化学和微观结构分析
机译:Si上基于GaAs的谐振隧穿二极管(RTD)外延用于高度敏感的应变仪应用
机译:基于纳米载体/ GaAs异质结构的谐振隧道二极管奥古涅欧姆触点热破坏估算
机译:alas-Gaas-alas异质结构中X点状态的共振隧穿