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机译：GaAs MESFET器件和肖特基势垒接触件的制造方法
公开/公告号KR930001465A
专利类型
公开/公告日1993-01-16
原文格式PDF
申请/专利权人 오레그 이. 앨버;
申请/专利号KR19920009285
发明设计人 애드리안 브루스 에머슨;판 렌;
申请日1992-05-29
分类号H01L29/64;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 05:04:47
机译： 一种具有增加的gaas-mesfets肖特基势垒层的制造方法
机译： 具有增强的肖特基势垒的GaAs Mesfet的制造方法
机译： 增强肖特基势垒的GAAS MESFET
