GaAs半导体激光器的欧姆接触研究

摘要

1962年，第一支半导体激光器被发明出来，经过几十年的发展，半导体激光器技术取得了惊人的进展。凭借体积小、重量轻、效率高、省电等优势，目前半导体激光器已经广泛应用于光纤通信、光盘存储、全色显示、激光传感、激光印刷，以及军事方面如激光测距、制导、窃听等领域。半导体激光器技术涉及学科领域多，发展迅速，大量的研究论文被报道。但是国内针对GaAs半导体激光器金属欧姆接触电极制备方面的深入细致研究还比较少。 本文主要介绍了GaAs半导体激光器的欧姆接触电极的制备及其原理，对GaAs半导体激光器的欧姆接触电极进行了深入的研究，发现金属与P、N面半导体欧姆接触的变化规律及影响因素。在保证金属电极外观的情况下，得到了优良的GaAs半导体激光器的欧姆接触电极，改善了激光器的光电性能和可靠性。

目录

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摘要

第一章 绪论

1．1 论文的研究背景及意义

1．2 国内外发展现状及趋势

1．3 本文主要内容

1．4 本文内容安排

第二章 金属-半导体欧姆接触

2．1 A类欧姆接触

2．1．1 金属的功函数

2．1．2 表面态

2．1．3 镜像力

2．2 B类欧姆接触

2．3 GaAs半导体激光器的欧姆接触

2．3．1 欧姆接触金属体系的选择

2．3．2 金属合金

第三章 GaAs半导体激光器的电极制备

3．1 GaAs半导体激光器的结构原理

3．1．1 半导体激光产生的原理

3．1．2 条形激光器

3．1．3 GaAs激光器的制备工艺

3．2 电极制备工艺流程

3．2．1 界面清洗处理

3．2．2 光刻

3．2．3 金属电极沉积

3．2．4 剥离成形

3．2．5 减薄

3．2．6 合金

第四章 GaAs半导体激光器的欧姆接触电极研究实验

4．1 比接触电阻

4．1．1 矩形传输线模型

4．1．2 圆形传输线法

4．2 欧姆接触试验研究

4．2．1 欧姆接触试验设计方案

4．2．2 欧姆接触试验设备

4．2．3 欧姆接触试验过程

4．2．4 试验结果及分析

4．2．5 结论

第五章 总结

致谢

参考文献