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液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究

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摘要

用改进的液相外延法生长了大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构,达到了设计要求,阈值电流密度为300A/cm2,斜率效率达1.32W/A,具有很高器件质量.

著录项

来源
《兵工学报》|2001年第2期|214-217|共4页
作者
杨进华; 高欣; 李忠辉; 吴根柱; 张兴德;
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作者单位

长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春,130022;

长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春,130022;

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长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春,130022;

长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春,130022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
液相外延; 大功率; 半导体激光器;
入库时间 2023-07-25 12:23:40

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