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杨文宗;
无;
外延生长; 半导体材料; InGaAs; InP;
机译:液相外延生长的InP / InGaAsP / InP双异质结构晶片中的错配位错
机译:液相外延在沟道InP衬底的V形凹槽中生长的InGaAsP(1.3μm):光致发光研究
机译:InP上匹配的液相外延InGaAsP晶格的不均匀性:瞬态生长的影响
机译:用于半导体光放大器的对接应变补偿IngaAs / InGaASP / InP MQW放大器 - 波导装置的低温谱CL研究生长诱导的对接应变补偿IngaAs / InGaASP / InP MQW放大器 - 波导器件
机译:高纯度砷化镓的氢化和高纯度铟镓砷的液相外延生长。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:通过液相外延将InP / IngaASP异质结构的外延层生长在异形的INP表面上
机译:Inp和InGaasp合金的液相外延生长
机译:可以以包括不小于3.5微米的InGaAsP有源层以及InGaAsP和InP包层的简单结构获得大功率光输出的半导体发光器件
机译:低温生长的InP诱导的InGaAsP结构中的量子阱混合
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