Epitaxial growth; Liquid phases; Gallium arsenides; Indium phosphides; Crystal growth; Layers; Optical properties; Lasers; Reprints; Photodetectors;
机译:使用单一外延生长和单侧光刻的垂直耦合的INP / INGAASP微管激光器
机译:1.55-μmInGaAsP-InP激光器阵列,具有使用单外延生长制造的集成模式扩展器
机译:1.55- / splμ/ m InGaAsP-InP激光器阵列,具有使用单外延生长制造的集成模式扩展器
机译:稀土处理INGAAs液相外延生长过程
机译:用于光电子应用的外延Si-Ge-Sn合金的RPCVD生长
机译:MBE法生长外延ZnSnxGe1-xN2合金
机译:通过液相外延将InP / IngaASP异质结构的外延层生长在异形的INP表面上
机译:LpE方法研究Ingaasp / Inp CW激光器的生长。