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桑文斌; 钱永彪; 闵嘉华; 莫要武; 陈培峰; 王林军; 吴汶海; 陈高庭;
上海大学(嘉定校区);
中国科学院上海光机所;
LPE; 掩埋异质结; 激光二极管; InGaAsP; 磷化铟;
机译:具有气相外延基础结构和液相外延再生的沟道衬底掩埋异质结构InGaAsP / InP激光器
机译:通过液相外延获取异质结构INP // INGAASP / INP,并单独熔化溶液制备
机译:液相外延生长的InP / InGaAsP / InP双异质结构晶片中的错配位错
机译:直接连接薄有源层后,利用外延生长在SiO2 / Si衬底上掩埋InGaAsP / InP异质结构
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:通过液相外延将InP / IngaASP异质结构的外延层生长在异形的INP表面上
机译:Inp和InGaasp合金的液相外延生长
机译:液相外延法制备Gap-SI异质结
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