ПОЛУЧЕНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР InP//InGaAsP/InP МЕТОДОМ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ И РАЗДЕЛЬНОЕ ПРИГОТОВЛЕНИЕ РАСТВОРОВ-РАСПЛАВОВ

摘要

Создана технология раздельного приготовления растворов-расплавов с предварительным многочасовым отжигом (синтезом) при повышенных температурах. В процессе жидкофазной эпитаксии получена высокая воспроизводимость как физических параметров InGaAsP (толщины слоев, длины волны фотолюминесценции, параметров решетки), так и электрофизических параметров (ватт-амперной характеристики, темнового тока, выходной мощности излучения, длины волны излучения, порогового и рабочего токов). Данная технология позволяет проводить процессы жидкофазной эпитаксии для гетероструктур InP//InGaAsP/InP в широком температурном диапазоне (480-680°C) с высокой воспроизводимостью параметров двойных гетероструктур как для фотоприемных приборов, так и для излучающих приборов. Представлен оригинальный метод проведения процессов жидкофазной эпитаксии с применением раздельного приготовления и разливки растворов-расплавов и использованием графитовой оснастки.