ГЕТЕРОСТРУКТУРА InP/InGaAsP/InP С СЕРПОВИДНОЙ АКТИВНОЙ ОБЛАСТЬЮ НА p-InP ДЛЯ ЛИНЕЙНЫХ ТОРЦЕВЫХ СВЕТОДИОДОВ

摘要

Создана технолог ия роста методом жидкофазной эпитаксии меза-полосковых гетероструктур InP/InGaAsP/lnP с серповидной активной областью и p—n—p—/ZnSe-структурой, блокирующей ток утечки. В основе технологии лежит метод прерывания меза-полоска лазерной гетероструктуры и чередование меза-полоска со структурой блокирующих слоев. Данная технология позволяет изготавливать линейные торцевые светодиоды, собранные как меза-полоском вниз, так и меза-полоском вверх, с длиной волны излучения Х= 1.3 — 1.5 мкм, с высокой воспроизводимостью и вводом водномодовое волокно более 50 мкВт оптической мощности при токе 100 мА, с шириной спектра излучения около 60 нм и практически незаметной модуляцией Фабри—Перо.