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MUKHTAR ABDI HADI;
电子科技大学;
InGaAsP;
机译:InGaAsP / InP van逝模波导光隔离器及其在InGaAsP / InP / Si混合e逝光隔离器中的应用
机译:p-InP上的埋入式新月形InP / InGaAsP / InP异质结构,用于线性边缘发射二极管
机译:高p掺杂InGaAsP / InP层的1.55 um InGaAsP / InP MQW-LD的光电流特性研究
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:通过液相外延将InP / IngaASP异质结构的外延层生长在异形的INP表面上
机译:p + -Inp / n-Inp / n-InGaasp光电二极管的电容 - 电压特性计算
机译:可以以包括不小于3.5微米的InGaAsP有源层以及InGaAsP和InP包层的简单结构获得大功率光输出的半导体发光器件
机译:Alingaas / InGaASP / InP边缘发射半导体激光器,包括多个单片激光二极管
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