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InP量子点及制备方法、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS量子点

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摘要

本发明涉及量子点领域，特别是涉及InP量子点及制备方法、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS量子点，制备方法包括以下步骤：步骤S1，将硅基磷前驱体、脂肪酸铟前驱体及非配位溶剂在第一温度下混合，并升至第二温度，得到第一InP核；步骤S2，将氨基磷前驱体和脂肪酸铟前驱体逐滴滴加至第一InP核的反应体系，并在第三温度下反应，获得第二InP核，即获得InP量子点；其中，第三温度高于第二温度，第二InP核的尺寸大于第一InP核尺寸。本发明的方法可以低成本、简单地获得制备的InP量子点，半峰宽较窄，荧光产率较高。

著录项

  • 公开/公告号CN113637477A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江臻纳科技有限公司;

    申请/专利号CN202110957163.9

  • 发明设计人 曹璠;杨绪勇;王胜;

    申请日2021-08-20

  • 分类号C09K11/70(20060101);C09K11/02(20060101);C09K11/88(20060101);B82Y20/00(20110101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 314499 浙江省嘉兴市海宁市海昌街道海宁大道8号8幢403、404室

  • 入库时间 2023-06-19 13:15:27

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