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陈根祥; 李洵; 简水生;
北方交通大学光波技术研究所;
磷化铟; 薄膜; ZnSeTe薄膜; 液固平衡;
机译:InP上AlvGa1-u-vInuAs的LPE的固液平衡计算
机译:RE(Re = Ce,Nd和Pr)-Sn-Te三元系的富Te区域的固态相平衡
机译:在阳极氧化铝纳米孔阵列中使用气-液-固生长在Si(100)衬底上合成外延Si(100)纳米线
机译:LPE使用三元熔体在(100)GaSb衬底上生长的高质量中红外InAs膜
机译:Bi2Se2Te三元纳米线的汽-液-固生长
机译:Hg-Cd-Te系统富Te角的液相线等温线,固相线和LpE生长
机译:Inp基体上由335族化合物半导体组成的液相固溶表观生长层的形成方法
机译:使用具有固液相变的缓冲层在高度晶格失配的衬底上外延生长半导体的方法
机译:石榴石薄膜在成对衬底上的液相外延-Sepd。在生长前使用氧化铅粉末以最大程度地减少桥接
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