一种GaAs半导体表面欧姆接触电极及其制作方法

摘要

本发明公开了一种GaAs半导体表面欧姆接触电极及其制作方法，首先通过在GaAs半导体表面做接触电极，然后再在石英衬底上依次生成Cu层和Au层，将石英衬底上的Au层与GaAs上接触电极的接触层通过退火粘合封装在一起，然后抛光去除石英衬底，即可得到GaAs欧姆接触电极，通过在石英衬底上以铜层为过渡层，进行金层的制作，克服了金层与石英衬底难键和的问题，完成加厚金层的单独支座，克服了金层通过磁控溅射、真空蒸发方法很难制备出易于键合的微米级厚度的金层的问题，因此将加厚金层单独用电镀的方法来制作，通过本方法制作的GaAs接触电极使得器件可以非常容易地键合到电路中测试使用，器件可以工作在更高的温度，得到更好的器件性能表现。