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董雷; 张瑞康; 江山; 赵圣之; 刘水华;
山东大学信息科学与工程学院;
武汉光迅科技公司;
等离子体刻蚀; 干法刻蚀损伤; 感应耦合等离子体; 光荧光;
机译:InP / InGaAsP / InP双异质结太阳能电池短路电流的改善
机译:通过优化的Cl_2 / Ar / N_2化学感应耦合等离子体刻蚀技术,制备InP / InGaAsP / AlGaInAs量子阱异质结构中的亚微米尺寸特征
机译:InGaAsP-InP埋入异质结构光放大器与反应性离子刻蚀的单片对接波导之间的均匀且高耦合效率
机译:在ICP-RIE上用Cl / sub 2 // CH / sub 4 // H / sub 2 /混合物干法刻蚀InP-InGaAsP基光子晶体的工艺优化
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:通过液相外延将InP / IngaASP异质结构的外延层生长在异形的INP表面上
机译:晶格匹配的InGaasp / Inp异质结的界面特性
机译:InGaAsP / InP异质结构中优先刻蚀光学平面镜面的方法
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