高温退火对InGaAsP/InP双异质结光弹波导结构的影响

摘要

光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构。InGaAsP/InP双异质结外延片在直流负偏压120V作用下,利用射频溅射和光刻刻剥离技术在样品表面沉积110nm厚的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条。在W0.95－Ni0.05金属薄膜应变条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹波导结构。W0.95Ni0.05金属薄膜及由其形成的光弹波导器件在氢氮混合气体（85％N2,15％H2）的保护下，分别在250℃，350℃，450℃，600℃温度下各退火0.5h以后，W0.95Ni0.05金属薄膜中压应变减少了原来的1/10左右。退火前后光弹波导输出的近场光模没有发生很大的变化。这些实验结果充分证明了由W0.95Ni0.05金属薄膜在InGaAsP/InP双异质结构内形成的光弹波导结构具有很高的热稳定性。