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颜学进; 张权生; 石志文; 杜云; 祝亚芹; 罗丽萍; 朱家廉; 吴荣汉; 王启明;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;
半导体激光器; 双异质结; 刻蚀腔;
机译:InGaAsP / InP双异质结激光器的阈值温度特性分析
机译:条形几何InGaAsP / InP双异质结激光器中空间烧孔的自洽解决方案
机译:InGaAsP / InP双异质结构激光器中阈值电流的温度特性
机译:使用化学辅助离子束刻蚀和简单的光刻胶掩模制作具有干刻蚀面的InGaAsP / InP脊形波导激光器
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于1.55-μm电信频段的单光子源的InGaAsP / InP纳米腔
机译:InGaAsP / InP激光器和异质结双极晶体管的垂直单片组合
机译:晶格匹配的InGaasp / Inp异质结的界面特性
机译:InGaAsP / InP异质结构中优先刻蚀光学平面镜面的方法
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