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朱龙德; 张盛廉; 汪孝杰; 王莉; 高淑芬;
中国科学院半导体研究所七室器件工艺组;
InGaAsP/InP; 激光器; 光激射器; 电子器件;
机译:条形几何InGaAsP / InP双异质结激光器中空间烧孔的自洽解决方案
机译:InGaAsP / InP双异质结激光器的阈值温度特性分析
机译:8至12μm宽条形几何质子轰击双异质结构(Al,Ga)As激光器之间的寿命比较
机译:高速和高功率1.3#mu#m InGaAsP / InP选择性质子轰击具有光场衰减区的埋入式月牙形激光器
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:晶格匹配的InGaasp / Inp异质结的界面特性
机译:埋入异质结构的ingaasp / inp半导体二极管激光器的制造方法
机译:通过精确控制金图案掩模和质子轰击制造异质结器件的方法
机译:通过液相外延制造波长范围为1.2um至1.7um的InGaAsP和InGaAs双异质结构激光器和LED的方法
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