双结串行式InGaAs/InGaAsP双端太阳电池及其制作方法

摘要

本发明揭示了一种应用于太阳光谱长波段的双结串联式InGaAs/InGaAsP高效双端太阳电池的制作方法。本发明利用p+InGaAs/n+InGaAs作为隧道结，将基于InP衬底上的InGaAs和InGaAsP太阳电池结果串联生长，使之波长满足能量在0.74eV和1.05eV的吸收，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换。在长波长太阳光谱中常用的机械式级联太阳电池系统因为使用多个不同衬底而导致成本较高，本发明只用一个衬底，从而大大降低了成本；同时，串行式两端器件结构还有效解决了机械级联或者三端器件中上下不同电池的电极设计及准直问题。