法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-12-31
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/3065 授权公告日:20090826 终止日期:20131109 申请日:20061109
专利权的终止
2009-08-26
授权
授权
2007-06-13
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-04-18
公开
公开
机译: 在碳化硅(SiC)基质的光电化学刻蚀中使用的刻蚀剂,刻蚀装置和刻蚀方法
机译: 制造SiC晶体以减少基体和SiC晶体,SiC单晶膜,SiC半导体元件,SiC单晶体基体和电子器件中的微管传播的方法以及制造SiC球体的方法
机译: 单晶SiC晶片的湿法刻蚀方法,湿法刻蚀溶液和湿法刻蚀装置