CF4/O2混合气体ICP刻蚀4H-SiC工艺研究

摘要

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀是宽禁带半导体材料4H-SiC加工工艺中的重要环节.采用CF4/O2作为刻蚀气体,首次用正交实验的方法系统研究了ICP功率、射频(RF)功率、CF4流量、O2流量等工艺参数对4H-SiC材料刻蚀速率的影响,结果表明刻蚀速率随ICP功率和RF功率的增大而增大,随CF4流量先减小后增大,随O2流量先增大后减小.在ICP功率为500 W、RF功率为125W、CF4和O2流量分别为15 sccm和22 sccm时,获得最大刻蚀速率213.47 nm/min,同时表面均方根粗糙度仅为0.724 nm,保证了较好的表面质量.