4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究

摘要

对于栅挖槽的4H-SiC MESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀(RIE),界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要.反应离子刻蚀的SiC表面平滑不是很好,刻蚀损伤严重,选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善刻蚀后表面形貌,进一步减小表面的刻蚀损伤.工艺优化后栅的肖特基特性有了明显改善,理想因子接近于1.制成的4H-SiC MESFET直流夹断特性良好,饱和电流密度达到350mA/mm.