机译:使用反应离子刻蚀滞后和牺牲氧化技术在体硅中高纵横比结构的单掩模三维微加工
Mechanical & Environmental Engineering Department, University of California, Santa Barbara (UCSB), Santa Barbara, California 93106;
机译:用于制备悬浮高纵横比微结构的单次运行单面膜电感耦合等离子体反应离子刻蚀工艺
机译:最高蚀刻速率的硅中高纵横比结构的受控微细加工:H2O2在酸性电解质中硅阳极溶解中的作用
机译:基于深反应离子刻蚀的硅高级刻蚀,用于硅高纵横比微结构和三维微纳结构
机译:单掩模,翻转型钛玻璃(FPTOG)技术,用于悬浮的高纵横比批量钛微观结构的悬浮型批量批量制造
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:通过深反应离子蚀刻制造高纵横比硅光栅
机译:用于深度反应离子蚀刻高纵横比的kinoform硅x射线透镜的牺牲结构
机译:新型深反应离子蚀刻工艺开发用于碳化硅微加工