使用应变硅用于集成PMOS和NMOS晶体管的单掩模设计方法和结构

摘要

本发明提供了一种利用应变硅技术形成CMOS集成电路的方法。该方法在第一栅极结构和第二栅极结构上以及在第一阱区中的第一源极/漏极区和第二阱区中的第二源极/漏极区上形成衬里层。在优选的实施方式中，该部分图案化隔离物电介质层，以在具有第一边缘的第一栅极结构上形成第一侧壁隔离结构，并在具有第二边缘的第二栅极结构上形成第二侧壁隔离结构，同时利用部分衬里层作为终止层。根据优选的实施方式，该方法在至少图案化隔离物电介质层期间，保持第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上覆的衬里层。该方法还利用硬掩模层和第一侧壁隔离物作为保护层，刻蚀邻近第一栅极结构的第一源极区和第一漏极区。该方法将硅锗填充材料沉积到第一源极区和第一漏极区内，以填充刻蚀过的第一源极区和刻蚀过的第一漏极区，同时由形成在第一源极区和第一漏极区中的至少硅锗材料使在第一源极区和第一漏极区之间的第一沟道区以压缩模式产生应变。