法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-31
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B81C1/00 申请公布日:20130710 申请日:20120106
发明专利申请公布后的驳回
2013-08-28
实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20120106
实质审查的生效
2013-07-10
公开
公开
机译: 通过使用SiGe和/或Si:C进行栅极应力工程在体硅和SOI CMOS器件中制造无位错应力沟道的结构和方法
机译: 用于硅氮化物磷的硅氮化物粉,使用相同的CaAlSiN3磷,使用相同的Sr2Si5N8磷,使用相同的(Sr,Ca)AlSiN3磷,用于相同的La3Si6N11磷以及制备方法
机译: CaAlSiN3 Sr2Si5N8 Sr CaAlSiN3 La3Si6N11氮化硅粉用于硅氮化磷CaAlSiN3磷使用相同的Sr2Si5N8磷使用相同的Sr CaAlSiN3磷使用相同的La3Si6N11磷使用相同的方法