Improvement of short-circuit current of InP/InGaAsP/InP double heterojunction solar cells

Kim C.-Y.; Cha J.-H.; Kim J.; Kwon Y.-S.

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【24h】

Improvement of short-circuit current of InP/InGaAsP/InP double heterojunction solar cells

机译：InP / InGaAsP / InP双异质结太阳能电池短路电流的改善

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The InP/InGaAsP double heterojunction (DH) solar cell to increase the short-circuit current is investigated. The InP/InGaAsP DH solar cell has been newly designed having a 1.12 eV InGaAsP absorption layer. Increases of 100% in short-circuit current and 50.18% in efficiency for the DH device are observed over the control sample.

机译：研究了增加短路电流的InP / InGaAsP双异质结（DH）太阳能电池。 InP / InGaAsP DH太阳能电池是新设计的，具有1.12 eV InGaAsP吸收层。与对照样品相比，DH设备的短路电流提高了100％，效率提高了50.18％。

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来源
《Electronics Letters》 |2005年第9期|p.557-559|共3页
作者
Kim C.-Y.; Cha J.-H.; Kim J.; Kwon Y.-S.;
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作者单位

Dept. of Electr. Eng. & Comput. Sci., KAIST, Daejeon, South Korea;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
III-V semiconductors; gallium arsenide; indium compounds; solar cells; 1.12 eV; InP-InGaAsP-InP; InP/InGaAsP/InP double hetero-junction solar cells; absorption layer; short-circuit current;

机译：III-V半导体;砷化镓;铟化合物;太阳能电池;1.12 eV;InP-InGaAsP-InP;InP / InGaAsP / InP双异质结太阳能电池;吸收层;短路电流;

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