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张丽萍; 苗如林; 沈正皓; 郭立; 陈庆敏; 林海; 李春; 李建勳; 曾繁明; 刘景和;
长春理工大学;
光电功能材料教育部工程研究中心;
长春130022;
南京京晶光电科技有限公司;
南京211100;
蓝宝石; 碳化硼磨料; 移除速率; 损伤层; 粗糙度;
机译:通过具有不同磨料粒径的十字图案抛光垫抛光蓝宝石晶片的磨料去除深度
机译:十字图案抛光垫化学机械抛光不同浆料浓度下蓝宝石晶片的磨料去除深度研究
机译:掺Nd3 +的胶体SiO2复合磨料:蓝宝石晶片的合成及其对化学机械抛光(CMP)性能的影响
机译:凝胶耦合超细磨料抛光垫抛光硅晶片加工参数的影响
机译:化学机械抛光中垫-磨料-晶片接触的力学
机译:用于抛光超薄蓝宝石晶片的层堆叠钳位(LSC)的机理
机译:磨料大小对蓝宝石晶圆高压化学机械抛光的影响
机译:不同尺寸磨料抛光对旋转圆盘电极电流响应的影响
机译:蓝宝石晶片的单面抛光方法及蓝宝石晶片的生产方法
机译:半导体晶片的再抛光方法,例如存储元件,涉及当抛光的半导体晶片在晶片的再抛光期间表现出凹/凸厚度轮廓时,影响凹/凸腐蚀轮廓
机译:硅晶片抛光装置,硅晶片磨料的供应方法和硅晶片的抛光方法
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