DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布

摘要

基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关系,求出对应每个Vpn的有效界面陷阱面密度(Neff),通过Neff函数与求出的每个Neff值作最小二乘拟合,将拟合参数代入界面陷阱能级密度(DIT)函数式,作出DIT的本征分布图。分别对部分耗尽的n MOS/SOI和p MOS/SOI器件进行测试,得到了预期的界面复合电流曲线,并给出了器件界面陷阱能级密度的U型分布图。结果表明,两种器件在禁带中央附近的陷阱能级密度量级均为109cm-2·e V-1,而远离禁带中央的陷阱能级密度量级为1011cm-2·e V-1。