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付兴中; 赵金霞; 崔玉兴; 付兴昌;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050051;
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT); 可靠性; 结构退化; 电学退化; 凹点; 裂纹;
机译:用不同GaN沟道层厚度对增强型AlGaN / GaN / AlGaN / AlGan双异质结构HEMT的影响
机译:累积剂量γ辐照对AlGaN / GaN异质结构材料性能和HEMT器件电学性能的影响
机译:偏置和器件结构对AlGaN / GaN-on-Si HEMT中栅极结温度的影响
机译:外延异质结构GaN / AlGaN设计对功率Ka波段HEMT器件特性的影响
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:凹入式栅极结构对具有薄AlOxNy MIS栅极的AlGaN / GaN-on-SiC MIS-HEMT的影响
机译:排水静态电压对脉冲RF模式中的AlGaN / GaN HEMT器件老化的影响
机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管断态退化过程中温度影响的研究
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
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