增强型自支撑垂直结构Ⅲ族氮化物HEMT器件及AlGaN/GaN HEMT器件

摘要

本实用新型公开了一种增强型自支撑垂直结构Ⅲ族氮化物HEMT器件及AlGaN/GaN HEMT器件。在一优选实施例中，所述HEMT器件包括N极性外延结构，所述N极性外延结构包括依次形成于衬底上的电流阻挡层、N极性的第一AlGaN层、N极性本征GaN层和N极性的第二AlGaN层，所述衬底、本征GaN层分别与漏极、源极形成欧姆接触，所述栅极设置在第二AlGaN层上，所述电流阻挡层内分布有沿竖直方向贯穿电流阻挡层的电流导通通道，且所述电流导通通道的电阻率小于所述电流阻挡层。本实用新型提供的增强型自支撑垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件具有垂直结构，同时实现了增强型，还具有高耐压、低漏电等优点，且其制备工艺简单，易于操作，成本低，有利于工业化生产。