垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件，包括衬底、以及依次形成于所述衬底上的n+GaN层、高阻GaN层、本征GaN层和AlGaN层，与所述n+GaN层形成欧姆接触的漏电极、与所述AlGaN层形成欧姆接触的源电极，以及栅电极；所述高阻GaN层是作为电流阻挡层，其包含由Si离子注入形成的电流导通通孔，所述电流导通通孔上下贯穿所述高阻GaN层。本发明还公开了所述垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件的制作方法。本发明能够在相对价格低的蓝宝石(sapphire)或者Si衬底上实现垂直结构的同时，还具有很好的电流阻挡、电流传输、高耐压、低漏电等优点。