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机译:偏置和器件结构对AlGaN / GaN-on-Si HEMT中栅极结温度的影响
Department of Engineering, North Ryde, NSW, Australia|c|;
Electrothermal effects; gallium nitride; high electron mobility transistors (HEMTs); monolithic microwave integrated circuits (MMICs); semiconductor device testing; temperature measurement; thermal analysis; thermal resistance; thermal resistance.;
机译:衬底偏置极性对AlGaN / GaN-on-Si功率器件中与缓冲有关的电流崩塌的影响
机译:采用部分凹陷和氟化陷阱电荷栅结构的无金,常态关闭的AlGaN / GaN-on-Si MIS-HEMT
机译:具有超高室温2DEG迁移率的AlGaN / GaN-on-Si HEMT结构的晶圆级MOCVD生长
机译:施主层掺杂,厚度,栅极长度和温度对AlGaN / GaN双异质结构和单异质结构HEMT中电势和电子浓度的影响
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:具有超高室温2DEG迁移率的alGaN / GaN-on-si HEmT结构的晶圆级mOCVD生长