用于测量电路器件中接触孔和栅极套准精度的测试结构

摘要

一种用于测量电路器件中接触孔和栅极套准精度的测试结构，所述电路器件位于硅片的电路器件区域，所述测试结构位于硅片的测试结构区域并与所述电路器件同步形成，所述测试结构包括第一测试单元，所述第一测试单元包括：沿所述第一方向延伸的第一伪栅极；一列沿所述第一方向间隔排列并位于一条直线上的第一伪接触孔，所述第一伪接触孔沿垂直于所述第一方向的第二方向横跨所述第一伪栅极并位于所述硅片及第一伪栅极上方。解决了利用现有测试结构测量获得的套准精度准确性不高的问题。